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參數(shù)資料
| 型號： | BUK436W-800B |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | DIODE, SCHOTTKY, SM, 100V.3A, B310 |
| 中文描述： | 3.5 A, 800 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BUK436W-800B |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
BUK436W-800A/B
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth j-mb / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
BUKx56-hv
D =
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
24
28
BUK4y6-800A
VDS / V
8
6
4
2
0
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
6
10
ID / A
VGS / V =
10
100
1000
VDS / V
100
10
1
0.1
BUK456-800A,B
ID / A
tp = 10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
DC
A
B
RDS(ON) = VDS/ID
0
2
4
6
BUK4y6-800A
ID / A
10
8
6
4
2
0
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
10
RDS(ON) / Ohm
VGS / V =
February 1998
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK436-800B | PowerMOS transistor |
| BUK438-1000A | PowerMOS transistor |
| BUK438-1000B | PowerMOS transistor |
| BUK438W-800A | RECTIFIER BRIDGE 8A 100V 200A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE |
| BUK438W-800B | RECTIFIER BRIDGE 8A 200V 200A-ifsm 1V-vf 5uA-ir GBU 20/TUBE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK437-400A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK437-400B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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| BUK437-500B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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