參數(shù)資料
型號(hào)： BUK436W-1000B
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 3.1 A, 1000 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 53K
代理商： BUK436W-1000B
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
BUK436W-1000B
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 5 g
Fig.15. SOT429 (TO247); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT429 envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
5.3
4.0
max
21
max
15.5
min
1
2.2 max
3.2 max
0.4
2.5
0.9 max
5.3 max
3.5
16 max
5.45
seating
plane
5.45
M
o
15.5
max
2
3
1.1
3.5
max
1.8
7.3
March 1998
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK436W-200A PowerMOS transistor
BUK436W-200B RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 2A 60V 50A-Ifsm 0.7Vf 0.5A-IR SMA 5K/REEL
BUK436W-800A RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 2A 80V 50A-Ifsm 0.79Vf 0.5A-IR SMB 3K/REEL
BUK436W-800B DIODE, SCHOTTKY, SM, 100V.3A, B310
BUK436-800B PowerMOS transistor
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