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參數(shù)資料
| 型號： | BUK436W-1000B |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 3.1 A, 1000 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | BUK436W-1000B |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
BUK436W-1000B
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 3.5 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
0
10
20
30
40
QG / nC
VGS / V
12
10
8
6
4
2
0
VDS / V =200
800
BUK456-1000
0
1
2
BUK456-1000A
VSDS / V
IF / A
10
8
6
4
2
0
25 C
150 C
March 1998
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK436W-200A | PowerMOS transistor |
| BUK436W-200B | RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 2A 60V 50A-Ifsm 0.7Vf 0.5A-IR SMA 5K/REEL |
| BUK436W-800A | RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 2A 80V 50A-Ifsm 0.79Vf 0.5A-IR SMB 3K/REEL |
| BUK436W-800B | DIODE, SCHOTTKY, SM, 100V.3A, B310 |
| BUK436-800B | PowerMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK436W200A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK436W-200A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| BUK436W200B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK436W-200B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| BUK436W800A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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