參數(shù)資料
型號(hào)： BUK217-50YT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： TOPFET high side switch SMD version
中文描述： 21 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO4
封裝： PLASTIC, SOT-426, D2PAK-5
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 38K
代理商： BUK217-50YT
Philips Semiconductors
Product specification
TOPFET high side switch
SMD version
BUK217-50YT
INPUT CHARACTERISTICS
9 V
≤
V
BG
≤
16 V. Limits are at -40C
≤
T
mb
≤
150C and typicals at T
mb
= 25 C unless otherwise stated.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
I
Input current
V
IG
= 5 V
20
90
160
μ
A
V
IG
Input clamping voltage
I
I
= 200
μ
A
5.5
7
8.5
V
V
IG(ON)
Input turn-on threshold voltage
-
2.4
3
V
V
IG(OFF)
Input turn-off threshold voltage
1.5
2.1
-
V
V
IG
Input turn-on hysteresis
-
0.3
-
V
I
I(ON)
Input turn-on current
V
IG
= 3 V
-
-
100
μ
A
I
I(OFF)
Input turn-off current
V
IG
= 1.5 V
10
-
-
μ
A
STATUS CHARACTERISTICS
The status output is an open drain transistor, and requires an external pull-up circuit to indicate a logic high.
Limits are at -40C
≤
T
mb
≤
150C and typicals at T
mb
= 25 C unless otherwise stated. Refer to
TRUTH TABLE
.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
SG
V
SG
Status clamping voltage
Status low voltage
I
S
= 100
μ
A
I
S
= 100
μ
A
5.5
-
-
7
-
8.5
1
0.8
V
V
V
T
mb
= 25C
0.7
I
S
Status leakage current
V
SG
= 5 V
-
-
2
-
15
1
12
μ
A
μ
A
mA
T
mb
= 25C
0.1
7
I
S
Status saturation current
1
V
SG
= 5 V
Application information
External pull-up resistor
R
S
-
47
-
k
1
In a fault condition with the pull-up resistor short circuited while the status transistor is conducting. This condition should be avoided in order to
prevent possible interference with normal operation of the device.
September 2001
4
Rev 1.300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK219-50Y PowerMOS transistor TOPFET high side switch
BUK416-1000AE TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 12.2A I(D)
BUK416-1000BE TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 10.9A I(D)
BUK426-1000A N-Channel Enhancement MOSFET
BUK426-1000B N-Channel Enhancement MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK217-50YT,118 功能描述:MOSFET N-CH 65V 16.5A 5-Pin Trans MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK218-50DC 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TOPFET dual high side switch
BUK218-50DC /T3 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 TAPE13 TOPFET2 RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
BUK218-50DC,118 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 TAPE13 TOPFET2 RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
BUK218-50DY 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TOPFET dual high side switch
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*