參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ304AX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 6 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： BUJ304AX
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ304AX
Fig.7. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD
25C
= f (T
hs
)
Fig.8. Typical DC current gain. h
FE
= f(I
C
)
parameter V
CE
Fig.9. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
CEsat
= f(IB); T
j
=25C.
Fig.10. Base-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
BEsat
= f(IC); at IC/IB =4.
Fig.11. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid lines = typ values, V
CEsat
= f(IC); at IC/IB =4.
Fig.12. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
%
Normalised Derating
with heatsink compound
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Ptot
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
IC/A
VBEsat/V
0.01
0.1
1
10
1
10
100
IC/A
hfe
5V
1V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.1
1
10
IC/A
VCEsat/V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.01
0.10
1.00
10.00
IB/A
VCEsat/V
IC=1A
2A
3A
4A
1u
100u
10m
1
100
t / s
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
D=0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10u
1m
100m
10
D =
tp
T
T
P
D
t
t
p
BU1706AX
March 1999
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ304A Silicon Diffused Power Transistor
BUK106-50L PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK106-50LP PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK106-50S PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK127-50GT PowerMOS transistor Logic level TOPFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJ403 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ403A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ403A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ403A/DG,127 功能描述:MOSFET NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUJ403A127 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*