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參數(shù)資料
| 型號： | BUJ100AT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BUJ100AT |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100AT
Fig.19. Resistive switching.
tf = f(I
C
)
0
0.5
1
1.5
2
50
100
1,000
2,000
5,000
IC COLLECTOR CURRENT (A)
tf (ns)
IC/IB = 3
IC/IB = 10
IC/IB = 5
Fig.20. Test Circuit for the RBSOA test.
V
cl
≤
700V; V
cc
= 150V; L
B
= 1
μ
H; L
c
= 200
μ
H
Fig.21. Reverse
bias safe operating area T
j
≤
T
jmax
for -V
BE
= 9V, 5V,3V & 1V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
0
100
200
300
VCEclamp/V
400
500
600
700
800
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
IC/A
-9V
-5V
-3V
-1V
September 1999
6
Rev 1.000
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PDF描述 |
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