參數(shù)資料
型號： BU508AFI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistors(高電壓快速開關(guān)NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關(guān)晶體管（高電壓快速開關(guān)npn型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： BU508AFI
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
5.35
5.65
0.210
0.222
C
3.3
3.8
0.130
0.149
D
2.9
3.1
0.114
0.122
D1
E
1.88
0.75
2.08
1
0.074
0.029
0.081
0.039
F
1.05
1.25
0.041
0.049
G
10.8
11.2
0.425
0.441
H
15.8
16.2
0.622
0.637
L1
20.8
21.2
0.818
0.834
L2
19.1
19.9
0.752
0.783
L3
22.8
23.6
0.897
0.929
L4
L5
40.5
4.85
42.5
5.25
1.594
0.190
1.673
0.206
L6
M
20.25
3.5
20.75
3.7
0.797
0.137
0.817
0.145
N
2.1
2.3
0.082
0.090
U
4.6
0.181
L1
A
C
D
E
H
G
M
F
L6
1
2
3
U
L5
L4
D
N
L3
L2
P025C
ISOWATT218 MECHANICAL DATA
BU208A / BU508A / BU508AFI
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PDF描述
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參數(shù)描述
BU508AFTBTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU508AT 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:NPN SILICON PLANAR POWER TRANSISTOR
BU508AW 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Vltg NPN Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU508AW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-249
BU508AW_0708 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display
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