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參數(shù)資料
| 型號： | BU505D |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 2.5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | BU505D |
1997 Aug 13
5
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BU505; BU505D
Fig.3 Forward bias SOAR.
T
mb
= 25
°
C.
I - Region of permissible DC operation.
II - Permissible extension for repetitive pulse operation.
(1) P
tot max
and P
tot peak max
lines.
(2) Second breakdown limits.
handbook, full pagewidth
MGB942
1
10
10
2
10
3
10
4
VCE (V)
10
10
1
10
2
10
2
IC
(A)
δ
= 0.01
II
ICM max
IC max
(1)
(2)
tp =
10
μ
s
2 ms
10 ms
DC
20
μ
s
100
μ
s
200
μ
s
500
μ
s
50
μ
s
I
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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