參數(shù)資料
型號： BU4530AL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 16 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： BU4530AL
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU4530AL
Fig.9. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.10. Typical collector storage and fall time.
I
C
=9 A; T
j
= 85C; f = 32kHz
Fig.11. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25C
Fig.12. Transient thermal impedance.
Fig.13. I
during normal running vs. frequency of
operation for optimum performance
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
IC / IB = 5
- - -Tj = 85 C
Tj = 25 C
VCEsat / V
IC / A
1E-05
1t / s
1E-01
1E+01
0.01E-07
0.01
0.1
1
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.5
BU4530AL
Zth / (K/W)
D =
tp
tp
T
T
P
D
t
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
ts/tf / us
IB / A
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10Ic(sat) (A)
frequency (kHz)
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
April 1999
4
Rev 1.100
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PDF描述
BU4530AW Silicon Diffused Power Transistor(硅功率擴(kuò)散晶體管)
BU4530AX Silicon Diffused Power Transistor
BU4540AW Silicon Diffused Power Transistor
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