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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU4522AF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | BU4522AF |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU4522AF
Fig.1. Test circuit for V
CEOsust
.
Fig.2. Oscilloscope display for V
CEOsust
.
Fig.3. Switching times waveforms (16 kHz).
Fig.4. Switching times waveforms (64 kHz).
Fig.5. Switching times definitions.
Fig.6. Switching times test circuit
+ 50v
100-200R
Horizontal
Vertical
Oscilloscope
1R
6V
30-60 Hz
100R
CE
ICsat
IB1
16 us
6.5 us
5 us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
IC
IB
IB2
VCE / V
min
VCEOsust
IC / mA
100
200
250
0
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IB1
IC
IB
t
t
- IB2
IC
IB
VCE
ICsat
IB1
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
IB2
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
December 1997
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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