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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU4506DF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | BU4506DF |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU4506DF
Fig.1. Switching times waveforms (16 kHz).
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Definition of anti-parallel diode V
fr
and t
fr
.
Fig.4. Switching times test circuit
Fig.5. High and low DC current gain.
Fig.6. High and low DC current gain.
IC
IB
VCE
ICsat
IB1
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
IB2
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IB1
IC
IB
t
t
- IB2
0.01
0.1
1
10
1
10
100
IC / A
hFE
BU4506DF/X/Z
VCE = 1V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
time
time
VF
Vfr
VF
IF
fr
t
10%
5 V
IF
0.01
0.1
1
10
1
10
100
IC / A
hFE
VCE = 5V
BU4506DF/X/Z
Ths = 25 C
Ths = 85 C
January 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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