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參數(shù)資料
| 型號： | BTS112-A |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | ？N溝道TEMPFET？ |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 442K |
| 代理商： | BTS112-A |
TEMPFET
BTS 115 A
6
04.97
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
Parameter:
I
D
= 7.8 A,
V
GS
= 4.5 V
Typ. transfer characteristic
I
D
=
f
(
V
GS
)
Parameter
: t
p
= 80
μ
s,
V
DS
=
–
25 V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j
)
Parameter
: V
DS
=
V
GS
,
I
D
=
–
1 mA
Typ. transconductance
g
fs
=
f
(
I
D
)
Parameter:
t
p
= 80
μ
s,
V
DS
=
–
25 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BTS113-A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS114-A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS117E3045A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS121-A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BTS133E3045A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BTS112A E3045A | 功能描述:MOSFET N-Channel 60V TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS112AE3045A | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BTS112AE3045ANTMA1 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BTS112ANK | 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| BTS112ANKSA1 | 功能描述:MOSFET TEMPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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