參數(shù)資料
型號： BST70A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel vertical D-MOS transistor
中文描述： 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC, SOT-54 (TO-92) VARIANT, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： BST70A
April 1995
8
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel vertical D-MOS transistor
BST70A
PACKAGE OUTLINES
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L1
(1)
max
L2
max
2.5
2.5
b1
0.66
0.56
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Notes
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54 variant
TO-92
SC-43
A
L
0
2.5
5 mm
scale
b
c
D
b
1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads (on-circle)
SOT54 variant
1
2
3
L2
e1
e
97-04-14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BST72A N-channel vertical D-MOS transistor
BST74A N-channel vertical D-MOS transistor
BST76A N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BST76 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BST80 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BST72A 功能描述:MOSFET BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BST72A,112 功能描述:MOSFET BULK MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BST72A_00 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
BST74A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel vertical D-MOS transistor
BST76 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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