參數(shù)資料
型號(hào)： BST70A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel vertical D-MOS transistor
中文描述： 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC, SOT-54 (TO-92) VARIANT, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大小： 63K
代理商： BST70A
April 1995
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel vertical D-MOS transistor
BST70A
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Drain-source breakdown voltage
I
D
= 10
μ
A; V
GS
= 0
Drain-source leakage current
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
Gate threshold voltage
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
V
(BR)DS
min.
80 V
I
DSS
max.
1
μ
A
I
GSS
max.
100 nA
min.
max.
1.5
3.5
V
V
V
GS(th)
Drain-source ON-resistance (see Fig.4)
I
D
= 500 mA; V
GS
= 10 V
typ.
max.
2.0
4.0
R
DS(on)
Transfer admittance
I
D
= 500 mA; V
DS
= 15 V
Input capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
Y
fs
typ.
300 mS
typ.
max.
45
60
pF
pF
C
iss
Output capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
typ.
max.
30
45
pF
pF
C
oss
Feedback capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
typ.
max.
8
12
pF
pF
C
rss
Switching times (see Figs 2 and 3)
I
D
= 500 mA; V
DS
= 50 V; V
GS
= 0 to 10 V
t
on
t
off
max.
max.
10
15
ns
ns
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PDF描述
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BST74A N-channel vertical D-MOS transistor
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參數(shù)描述
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