參數(shù)資料
型號(hào)： BSN205A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 300 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 50K
代理商： BSN205A
April 1995
7
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSN205; BSN205A
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSN20W N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSN274 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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BSN304 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors
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參數(shù)描述
BSN20-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 41V-60V,SOT23,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSN20BKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:265mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BSN20Q-7 功能描述:MOSFET NCH 50V 500MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 220mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BSN20T/R 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
BSN20-T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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