參數(shù)資料
型號： BSN205A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 300 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 50K
代理商： BSN205A
April 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSN205; BSN205A
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Transistor mounted on printed-circuit board, max. lead length 4 mm, mounting pad for drain lead
min. 10 mm
×
10 mm.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Drain-source voltage
Gate-source voltage (open drain)
Drain current (DC)
Drain current (peak)
Total power dissipation up to T
amb
= 25
°
C (note 1)
Storage temperature range
Junction temperature
V
DS
±
V
GSO
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
65 to
+
150
°
C
max.
200 V
20 V
300 mA
1.2 A
1 W
150
°
C
From junction to ambient (note 1)
R
th j-a
=
125 K/W
Drain-source breakdown voltage
I
D
= 10
μ
A; V
GS
= 0
min.
200 V
V
(BR) DSS
Drain-source leakage current
V
DS
= 160 V; V
GS
= 0
max.
1
μ
A
I
DSS
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
max.
100 nA
I
GSS
Gate threshold voltage
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
min.
max.
0.8
2.8
V
V
V
GS(th)
Drain-source ON-resistance
I
D
= 400 mA; V
GS
= 10 V
typ.
max.
4
6
R
DS(on)
Transfer admittance
I
D
= 400 mA; V
DS
= 25 V
min.
typ.
200
350
mS
mS
| Y
fs
|
Input capacitance at f = 1 MHz
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0
typ.
max.
45
60
pF
pF
C
iss
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PDF描述
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BSN20T/R 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
BSN20-T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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