參數(shù)資料
型號： BSH102
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 850 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： BSH102
1997 Dec 08
6
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
BSH102
Fig.5 Switching times test circuit with input and output waveforms.
handbook, full pagewidth
MAM274
90 %
10 %
10 %
90 %
Vin
Vout
td(on)
ton
toff
tf
tr
td(off)
0
0
VDD
RL
Vout
Vin
Fig.6
Gate-source and drain-source voltages as
functions of total gate charge; typical
values.
V
DD
= 15 V; I
D
= 0.5 A; T
amb
= 25
°
C.
(1) V
DS
.
(2) V
GS.
handbook, halfpage
(V)
10
QG (pC)
VDS
(V)
MGM205
(1)
(2)
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
1
4
6
8
1
1
1
1
1
2
Fig.7
Output characteristics; typical values.
T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 6 V.
(3) V
GS
= 5 V.
(4) V
GS
= 4.5 V.
(5) V
GS
= 4 V.
(6) V
GS
= 3.5 V.
(7) V
GS
= 3 V.
(8) V
GS
= 2.5 V.
handbook, halfpage
ID
(A)
0
3
2
1
0
2
10
MGM203
4
6
8
VDS (V)
(2)
(3)
(4)
(8)
(5)
(7)
(6)
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