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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BLW81 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF power transistor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | BLW81 |
March 1993
2
Philips Semiconductors
Product specification
UHF power transistor
BLW81
DESCRIPTION
N-P-N silicon planar epitaxial
transistor intended for transmitting
applications in class-A, B or C in the
u.h.f. and v.h.f. range for a nominal
supply voltages up to 13,5 V.
The resistance stabilization of the
transistor provides protection against
device damage at severe load
mismatch conditions.
The transistor is housed in a
1
4
"
capstan envelope with a ceramic cap.
QUICK REFERENCE DATA
R.F. performance up to T
h
= 25
°
C in an unneutralized common-emitter class-B circuit
MODE OF OPERATION
V
CE
V
f
MHz
P
L
W
G
p
dB
η
%
z
i
Y
L
mS
c.w.
c.w.
12,5
12,5
470
175
10
10
>
6,0
>
typ. 60
60
1,3
+
j2,5
1,2
j0,6
150
j66
140
j80
typ. 13,5
PIN CONFIGURATION
Fig.1 Simplified outline. SOT122A.
handbook, halfpage
Top view
MBK187
3
1
2
4
PINNING - SOT122A.
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
collector
emitter
base
emitter
PRODUCT SAFETY This device incorporates beryllium oxide, the dust of which is toxic. The device is entirely
safe provided that the BeO disc is not damaged.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BLW85 | HF/VHF power transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BLW86 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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