參數(shù)資料
型號： BLT62
英文描述： RF Power Transistors for UHF
中文描述： 射頻功率晶體管的超高頻
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 27K
代理商： BLT62
1996 Feb 12
4
Philips Semiconductors
RF Power Transistors for UHF
Line-ups
DIGITAL CELLULAR (900 MHz)
Bipolar
Note
1.
Pulsed.
PORTABLE TRANSMITTERS (860 to 960 MHz))
Bipolar
MOBILE TRANSMITTERS (860 to 960 MHz)
Bipolar
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
1
1
1
BFG540W/X
BFG540W/X
BFG540W/X
BFG10W/X
BFG10W/X
BFG10W/X
BLT72
BLT62
BLT82
3
(1)
3
3.5
(1)
4.8
3.6
6
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
1
BFG540
BFG91A
BLT80
BLT80
BLT81
BLT92/SL
1.2
3
6
15
7.5
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
4
th
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
S = stud
F = flange
110
100
100
BLU86
BLV90
BLU86
BLV91/SL
BLV92
BLV91/SL
BLV93
BLV94
BLV93
8
13
13
13
S/F
S/F
S/F
15
22
BLV95
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLT72 RF Power Transistors for UHF
BLW91 RF Power Transistors for UHF
LG0101
LG0201
LG0301
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BLT70,115 功能描述:射頻雙極電源晶體管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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BLT71/8 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
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