參數(shù)資料
型號(hào)： BLT62
英文描述： RF Power Transistors for UHF
中文描述： 射頻功率晶體管的超高頻
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 27K
代理商： BLT62
1996 Feb 12
3
Philips Semiconductors
RF Power Transistors for UHF
Line-ups
PowerMOS
BASE STATIONS (400 to 470 MHz)
Bipolar
PowerMOS
Note
1.
V
DS
= 12.5 V.
ANALOG CELLULAR (900 MHz)
Bipolar
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
50
BLF521
BLF522
5
12.5
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
40
220
BLW89
BLW90
BLW91
BLX94C
BLX94C
BLU60/28
30
60
28
28
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
35
40
150
45
BLF521
(1)
BLF521
(1)
BLF521
(1)
BLF521
(1)
BLF522
(1)
BLF543
BLF544
BLF544
BLF545
BLF546
BLF548
BLF547
40
80
150
100
28
28
28
28
INPUT
POWER
(mW)
1
st
STAGE
2
nd
STAGE
3
rd
STAGE
P
L
(W)
V
CE
(V)
10
1
1
1
BFG10W/X
BFG540/X
BFG540/X
BFG520W/X
BLT71/8
BLT80
BLT70
BFG10W/X
1.2
1.2
1.2
1.2
4.8
6
4.8
3.6
BLT81
BLT71
BLT61
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BLT72 RF Power Transistors for UHF
BLW91 RF Power Transistors for UHF
LG0101
LG0201
LG0301
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參數(shù)描述
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BLT70 T/R 功能描述:射頻雙極電源晶體管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLT70,115 功能描述:射頻雙極電源晶體管 TAPE-7 TNS-RFPR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
BLT71 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
BLT71/8 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
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