- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373019 > BFS360L6 ?NPN Silicon TWIN type RF-Transistor in TSLP-6 package ideal for VCO Modules up to 4GHz ? PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BFS360L6 |
| 英文描述： | ?NPN Silicon TWIN type RF-Transistor in TSLP-6 package ideal for VCO Modules up to 4GHz ? |
| 中文描述： | ？NPN硅雙型射頻晶體管TSLP - 6 VCO模塊封裝到4GHz的理想？ |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | BFS360L6 |
BFS360L6
Jan-30-2003
2
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
= 1 mA,
I
B
= 0
Collector-emitter cutoff current
V
CE
= 0 ,
V
BE
= 15 V
Collector-base cutoff current
V
CB
= 5 V,
I
E
= 0
Emitter-base cutoff current
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
DC current gain-
I
C
= 15 mA,
V
CE
= 3 V
V
(BR)CEO
6
9
-
V
I
CES
-
-
10
μA
I
CBO
-
-
100
nA
I
EBO
-
-
1
μA
h
FE
60
100
200
-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS386L6 | ?NPN Silicon TWIN mixed type RF-Transistor in TSLP-6 package ideal for VCO Modules up to 4GHz? |
| BFS55A | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFS62 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFT49 | NPN |
| BFT57DCSM | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 160V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LLCC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFS360L6E6327NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 6V 0.035A 6-Pin TSLP T/R |
| BFS380L6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor |
| BFS380L6E6327NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 6V 0.08A 6-Pin TSLP T/R |
| BFS386L6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?NPN Silicon TWIN mixed type RF-Transistor in TSLP-6 package ideal for VCO Modules up to 4GHz? |
| BFS460L6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF TWIN Transistor |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。