參數(shù)資料
型號: BFS20
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN SILICON PLANAR VHF TRANSISTOR
中文描述: VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 45K
代理商: BFS20
C
B
E
SOT23
SOT23 NPN SILICON PLANAR
VHF TRANSISTOR
ISSUE 3 JANUARY 1996
%
PARTMARKING DETAIL G1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
30
V
Collector-Emitter Voltage
20
V
Emitter-Base Voltage
4
V
Peak Pulse Current
25
mA
Continuous Collector Current
25
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
10
nA
μ
A
V
CB
=20V, I
E
=0
V
CB
=20V, I
E
=0,
T
amb
=100°C
Base-Emitter Voltage
V
BE
740
900
mV
I
C
=7mA, V
CE
=10V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
40
85
I
C
=7mA, V
CE
=10V*
Transition Frequency
f
T
275
450
MHz
I
=5mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Feedback Capacitance
C
re
0.35
0.40
pF
I
=1mA, V
CE
=10V
f=1MHz
Collector Capacitance
C
TC
0.8
pF
I
=I
=0, V
CB
=10V
f=1MHz
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
2%
3 - 53
BFS20
相關PDF資料
PDF描述
BFS20 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BFS21 TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 30V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | TO-52
BFS360L6 ?NPN Silicon TWIN type RF-Transistor in TSLP-6 package ideal for VCO Modules up to 4GHz ?
BFS386L6 ?NPN Silicon TWIN mixed type RF-Transistor in TSLP-6 package ideal for VCO Modules up to 4GHz?
BFS55A Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFS20 /T3 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-11 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS20 T/R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS20,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFS20,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFS20 Series 20 V 250 mW Medium Frequency NPN Transistor - SOT23
BFS20,235 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel