參數(shù)資料
型號(hào)： BD236
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： BD236
DCCurrent Gain (NPN type)
Collector-Emitter SaturationVoltage (NPNtype)
Base-EmitterSaturationVoltage (NPNtype)
DC Current Gain (PNPtype)
Collector-EmitterSaturation Voltage (PNP type)
Collector-BaseCapacitance (PNP type)
BD235/BD236/BD237/BD238
3/5
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PDF描述
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參數(shù)描述
BD236STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD237 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD237 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126
BD237/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD237D 制造商:DCCOM 制造商全稱:Dc Components 功能描述:TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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