參數(shù)資料
型號(hào)： BD236
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商： BD236
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
5
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CE
= rated V
CEO
V
CE
= rated V
CEO
T
c
= 150
o
C
0.1
2
mA
mA
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
EB
= 5 V
1
mA
I
C
= 100 mA
for
BD235/BD236
for
BD237/BD238
60
80
V
V
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
I
C
= 1 A
I
B
= 0.1 A
0.6
V
V
BE
h
FE
I
C
= 1 A
V
CE
= 2 V
1.3
V
DC Current Gain
I
C
= 150 mA
I
C
= 1 A
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
40
25
f
T
Transition frequency
I
C
= 250 mA
V
CE
= 10 V
3
MHz
h
FE1
/h
FE2
Matched Pairs
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V
1.6
Safe OperatingArea
DeratingCurves
BD235/BD236/BD237/BD238
2/5
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BD237 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD237 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126
BD237/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD237D 制造商:DCCOM 制造商全稱:Dc Components 功能描述:TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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