參數(shù)資料
型號(hào)： BCW61D
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： PNP通用型晶體管
封裝： BCW61B<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BCW61C<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： BCW61D
1999 Apr 12
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BCW61 series
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 32 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: BCW60.
MARKING
Note
1.
= p : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
(1)
BB
BC
BD
BCW61B
BCW61C
BCW61D
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, halfpage
2
1
3
MAM256
Top view
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
32
32
5
100
200
100
250
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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