參數(shù)資料
型號(hào)： BC858S
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： High Speed CMOS Logic Phase-Locked-Loop with VCO 16-SOIC -55 to 125
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 73K
代理商： BC858S
1
) Tested with pulses t
= 300
:
s, duty cycle
#
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhltnis
#
2%
2
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
19
1
2
3
4
6
5
T1
T2
General Purpose Transistors
BC856S ... BC858S
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Typ.
Min.
Max.
Collector saturation volt. – Kollektor-Sttigungsspag.
1
)
- I
C
= 10 mA, - I
B
= 0.5 mA
- I
C
= 100 mA, - I
B
= 5 mA
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10 mA, - I
B
= 0.5 mA
- I
C
= 100 mA, - I
B
= 5 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 2 mA
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V, T
j
= 150
/
C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
- V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Noise figure – Rauschzahl
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
, f = 1 kHz,
)
f = 200 Hz
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
-V
CEsat
-V
CEsat
–
–
90 mV
200 mV
250 mV
600 mV
- V
BEsat
- V
BEsat
–
–
700 mV
900 mV
–
–
- V
BEon
- V
BEon
600 mV
–
650 mV
–
750 mV
820 mV
- I
CB0
- I
CB0
–
–
–
–
15 nA
5
:
A
- I
EB0
–
–
100 nA
f
T
100 MHz
–
–
C
CB0
–
–
6 pF
F
–
2 dB
10 dB
R
thA
420 K/W
2
)
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementre NPN-Transistoren
BC846S ... BC848S
Pinning – Anschlubelegung
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC856U PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC857CM PNP general purpose transistors
BC858UF PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BCL322522 1210 Industry Size Surface Mount Inductors
BCL322522-100K 1210 Industry Size Surface Mount Inductors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC858W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SOT-323
BC858W /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858W T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858W,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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