參數(shù)資料
型號： BC858S
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： High Speed CMOS Logic Phase-Locked-Loop with VCO 16-SOIC -55 to 125
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BC858S
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhltnis
#
2%
18
1
2
3
Type
Code
2
±
2
±0.1
0.9
±0.1
1
±
4
6
5
6.5
6.5
2.4
BC856S ... BC858S
General Purpose Transistors
PNP
Surface mount Si-Epitaxial
PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren
für die Oberflchenmontage
PNP
Version 2004-04-09
Dimensions / Mae in mm
Power dissipation – Verlustleistung
310 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-363
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
6 = C1
1 = E1
5 = B2
2 = B1
4 = E2
3 = C2
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Grenzwerte
(T
A
= 25
/
C)
BC857S
45 V
50 V
5 V
310 mW
1
)
100 mA
200 mA
200 mA
200 mA
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC856S
65 V
80 V
BC858S
30 V
30 V
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
B open
E open
C open
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis
2
)
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10
:
A
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 2 mA
h-Parameters at - V
CE
= 5V, - I
C
= 2 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain
Kleinsignal-Stromverstrkung
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
Reverse voltage transfer ratio
Spannungsrückwirkung
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
h
FE
h
FE
typ. 90 ... 270
110 ... 800
h
fe
typ. 220 ... 600
h
ie
h
oe
1.6 ... 15 k
S
18 ... 110
:
S
h
re
typ.1.5 ... 3 *10
-4
相關PDF資料
PDF描述
BC856U PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC857CM PNP general purpose transistors
BC858UF PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BCL322522 1210 Industry Size Surface Mount Inductors
BCL322522-100K 1210 Industry Size Surface Mount Inductors
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BC858W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SOT-323
BC858W /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858W T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858W,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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