- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384125 > BC856S (DIOTEC SEMICONDUCTOR AG) High Speed CMOS Logic 8-Input Multiplexer/Register with 3-State Outputs 20-PDIP -55 to 125 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BC856S |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic 8-Input Multiplexer/Register with 3-State Outputs 20-PDIP -55 to 125 |
| 中文描述： | 表面貼裝硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | BC856S |
1
) Tested with pulses t
= 300
:
s, duty cycle
#
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhltnis
#
2%
2
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
19
1
2
3
4
6
5
T1
T2
General Purpose Transistors
BC856S ... BC858S
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Typ.
Min.
Max.
Collector saturation volt. – Kollektor-Sttigungsspag.
1
)
- I
C
= 10 mA, - I
B
= 0.5 mA
- I
C
= 100 mA, - I
B
= 5 mA
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10 mA, - I
B
= 0.5 mA
- I
C
= 100 mA, - I
B
= 5 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 2 mA
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V, T
j
= 150
/
C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
- V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Noise figure – Rauschzahl
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
, f = 1 kHz,
)
f = 200 Hz
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
-V
CEsat
-V
CEsat
–
–
90 mV
200 mV
250 mV
600 mV
- V
BEsat
- V
BEsat
–
–
700 mV
900 mV
–
–
- V
BEon
- V
BEon
600 mV
–
650 mV
–
750 mV
820 mV
- I
CB0
- I
CB0
–
–
–
–
15 nA
5
:
A
- I
EB0
–
–
100 nA
f
T
100 MHz
–
–
C
CB0
–
–
6 pF
F
–
2 dB
10 dB
R
thA
420 K/W
2
)
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementre NPN-Transistoren
BC846S ... BC848S
Pinning – Anschlubelegung
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857S | High Speed CMOS Logic 8-Stage Synchronous Down Counters 16-SOIC -55 to 125 |
| BC858S | High Speed CMOS Logic Phase-Locked-Loop with VCO 16-SOIC -55 to 125 |
| BC856U | PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application) |
| BC857CM | PNP general purpose transistors |
| BC858UF | PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC856S T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856S,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856S,125 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 65 V, 100 mA PNP/PNP General Purpose Tran RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856S,135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BC856S/ZLF | 功能描述:TRANSISTOR 制造商:nexperia usa inc. 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SC-88-6 標準包裝:10,000 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。