參數資料
型號： BC807W
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數： 2/2頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： BC807W
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
01.11.2003
5
General Purpose Transistors
BC 807W / BC 808W
Characteristics, T
j
= 25 C
Kennwerte, T
j
= 25 C
Typ.
Min.
Max.
Collector saturation voltage – Kollektor-Sttigungsspg.
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung
- V
CEsat
–
–
0.7 V
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
- V
BEsat
–
–
1.3 V
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 500 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
- V
BE
–
–
1.2 V
I
E
= 0, - V
CB
= 20 V
I
E
= 0, - V
CB
= 20 V, T
j
= 150 C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
- I
CB0
- I
CB0
–
–
100 nA
–
–
5 A
I
C
= 0, - V
EB
= 4 V
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- I
EB0
–
–
100 nA
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA, f = 50 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
f
T
80 MHz
100 MHz
–
- V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
C
CB0
–
10 pF
–
R
thA
620 K/W
1
)
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementre NPN-Transistoren
BC 817W / BC 818W
Marking of available current gain
groups per type
Stempelung der lieferbaren Strom
verstrkungsgruppen pro Typ
BC 807-16W = 5A
BC 807-25W = 5B
BC 807-40W = 5C
BC 807W = 5D
BC 808-16W = 5E
BC 808-25W = 5F
BC 808-40W = 5G
BC 808W = 5H
相關PDF資料
PDF描述
BC808W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC808-16W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC808-25W Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC808F PNP Silicon Transistor (High current application Switching application)
BC817-16-AE3-R NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
相關代理商/技術參數
參數描述
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BC807W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC807W,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC807W115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BC807W116 制造商:PHILIPS 功能描述:*
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