- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄384121 > BC807 (NXP Semiconductors N.V.) 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC807 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors |
| 中文描述： | 45伏，500毫安PNP型通用晶體管 |
| 封裝： | BC807<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC807-16<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003, |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 233K |
| 代理商： | BC807 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)當(dāng)前第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)
BC807_BC807W_BC327_6
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 17 November 2009
4 of 19
NXP Semiconductors
BC807; BC807W; BC327
45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
5.
Limiting values
Table 6.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
[1]
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2]
Valid for all available selection groups.
6.
Thermal characteristics
Table 7.
Symbol
R
th(j-a)
[1]
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2]
Valid for all available selection groups.
Limiting values
Conditions
open emitter
open base;
I
C
= 10 mA
open collector
Min
-
-
Max
50
45
Unit
V
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
BC807
BC807W
BC327
storage temperature
junction temperature
ambient temperature
-
-
-
-
5
500
1
200
V
mA
A
mA
T
amb
≤
25
°
C
T
amb
≤
25
°
C
T
amb
≤
25
°
C
[1][2]
-
250
200
625
+150
150
+150
mW
mW
mW
°
C
°
C
°
C
[1][2]
-
[1][2]
-
T
stg
T
j
T
amb
65
-
65
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
BC807
BC807W
BC327
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
T
amb
≤
25
°
C
T
amb
≤
25
°
C
T
amb
≤
25
°
C
[1][2]
-
-
-
-
500
625
200
K/W
K/W
K/W
[1][2]
-
[1][2]
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC808-40W | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC807-16W | SH2 Series, 7086 Group, Two ADC circuits, 6-ch 16-bit MTU2, 3-ch 16-bit MTU2S, Port Output Enable, 2-ch CMT, UBC, 5v IO, 15 mA IO TFP-100B; Vcc= 3.0 to 5.5 volts, Temp= -20 to 85 C; Package: PTQP0100KA-A |
| BC807-25W | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC807-40W | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC807W | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC807 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC807,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC807 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
| BC807 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR ((NW)) |
| BC807.16 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。