參數(shù)資料
型號(hào)： BBY55-05W
英文描述： ?Silicon high Q hyperabrupt tuning diode?
中文描述： ？高Q hyperabrupt硅調(diào)諧二極管？
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 28K
代理商： BBY55-05W
BBY55-05W
Jul-12-2001
2
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
DC characteristics
Reverse current
V
R
= 15 V
Reverse current
V
R
= 15 V,
T
A
= 65 °C
AC Characteristics
Diode capacitance
V
R
= 2 V,
f
= 1 MHz
V
R
= 4 V,
f
= 1 MHz
V
R
= 10 V,
f
= 1 MHz
Capacitance ratio
V
R
= 2 V,
V
R
= 10 V,
f
= 1 MHz
Series resistance
V
R
= 5 V,
f
= 470 MHz
Case capacitance
f
= 1 MHz
I
R
-
-
3
nA
I
R
-
-
100
C
T
14
10
5.5
15
11
6
16
12
6.5
pF
C
T2/
C
T10
2
2.5
3
-
r
s
-
0.15
0.4
C
C
-
0.1
-
pF
Series inductance
L
s
-
1.4
-
nH
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PDF描述
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