參數(shù)資料
型號(hào)： BC368
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： 互補(bǔ)硅外延晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： BC368
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Feb 28
1999 Apr 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC368
NPN medium power transistor
book, halfpage
M3D186
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC368-10 TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC368-16 TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC368-25 TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC859W High Speed CMOS Logic Quad Bilateral Switches 14-PDIP -55 to 125
BC859W High Speed CMOS Logic Quad Bilateral Switches 14-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC368 AMO 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC368,112 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC368,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC368/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor NPN
BC368_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Voltage and Current are Negative
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