BSM35GD120DN2

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功能描述
IGBT 模塊 1200V 35A 3-PHASE
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
產品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
600 V
集電極—射極飽和電壓
1.95 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
230 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作溫度
+ 125 C
封裝 / 箱體
34MM
封裝

BSM35GD120DN2 技術參數(shù)

BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:135W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM300D12P2E001 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 300A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 68mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:35000pF @ 10V 功率 - 最大值:1875W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:4 BSM2-X 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 14-16 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝零件狀態(tài):過期端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口進線數(shù):2 端接:壓接線規(guī):14-16 AWG 絕緣:非絕緣特性:銅焊縫顏色:- 標準包裝:10 BSM2-C 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 14-16 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝零件狀態(tài):過期端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口進線數(shù):2 端接:壓接線規(guī):14-16 AWG 絕緣:非絕緣特性:銅焊縫顏色:- 標準包裝:100 BSM200GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 230A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L