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BSZ060NE2LSATMA1

配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

BSZ060NE2LSATMA1
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話(huà)：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
TDSON8
22+
-
每一片都來(lái)自原廠，正品保證

BSZ060NE2LSATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話(huà)：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
INFINEON
NA
23+
-
功率MOSFET

BSZ060NE2LSATMA1
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話(huà)：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
100
INFINEON
con
24+
-
現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

BSZ060NE2LSATMA1
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話(huà)：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
12495
INFINEON
TDSON-8
2022+
-
原裝正品，公司現(xiàn)貨庫(kù)存假一罰十，電話(huà)：0...

BSZ060NE2LSATMA1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
21+
-
質(zhì)量保真，價(jià)格實(shí)惠，假一罰十

BSZ060NE2LSATMA1
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話(huà)：13510998172
地址：振華路100號(hào)深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10880
INFINEON正規(guī)報(bào)關(guān)
TDSON-8
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

BSZ060NE2LSATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話(huà)：13969210552
地址：中國(guó)上海
100
INFINEON
con
24+
-
現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

BSZ060NE2LSATMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

BSZ060NE2LSATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話(huà)：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
INFINEON
NA
23+
-
現(xiàn)貨！就到京北通宇商城

BSZ060NE2LSATMA1
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話(huà)：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室
3000
英飛凌
TO-3P
22+
-
原裝現(xiàn)貨

BSZ060NE2LSATMA1
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話(huà)：13305449939
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
100
INFINEON
con
24+
-
現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

BSZ060NE2LSATMA1
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
聯(lián)系人：楊銳鋒
電話(huà)：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田區(qū)華強(qiáng)廣場(chǎng)二樓Q2B046
80000
INFINEON
-
高品質(zhì)！價(jià)格美麗！

BSZ060NE2LSATMA1
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話(huà)：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
5000
INFINEON APAC (CHINA)
主營(yíng)優(yōu)勢(shì)
19+
-
100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8

BSZ060NE2LSATMA1 技術(shù)參數(shù)

BSZ060NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:670pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ058N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 15V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ058N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），45W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ058N03LS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 15V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ0589NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 17A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:950pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ086P03NS3 G BSZ086P03NS3E G BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 BSZ0901NS BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSI BSZ0901NSIATMA1 BSZ0902NS BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSI BSZ0902NSIATMA1 BSZ0904NSI BSZ0904NSIATMA1 BSZ0909NDXTMA1

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配單專(zhuān)線(xiàn)：0755-88999344
深圳市芯易芯科技有限公..
配單專(zhuān)線(xiàn)：0755-84864007
艾睿（深圳）實(shí)業(yè)有限公..
配單專(zhuān)線(xiàn)：0755-82387015
林沃田信息技術(shù)(深圳)..
配單專(zhuān)線(xiàn)：0755-82781160
集好芯城
配單專(zhuān)線(xiàn)：0755-83286799

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