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BSZ105N04NSGATMA1

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  • BSZ105N04NSGATMA1
    BSZ105N04NSGATMA1

    BSZ105N04NSGATMA1

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 36890

  • INFINEON

  • TSDSON-8

  • 21+原廠授權(quán)

  • -

  • ★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

  • BSZ105N04NSGATMA1
    BSZ105N04NSGATMA1

    BSZ105N04NSGATMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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  • 1
BSZ105N04NSGATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Cut TR (SOS)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
BSZ105N04NSGATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ105N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 14μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ100N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 14μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1075pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ100N06LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），20A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 23μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），50W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ100N06LS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 23μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ100N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 15V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03MS G BSZ130N03MSGATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ165N04NS G BSZ165N04NSGATMA1 BSZ16DN25NS3 G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ215CHXTMA1 BSZ22DN20NS3 G BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ240N12NS3 G BSZ240N12NS3GATMA1
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