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BSZ0994NSATMA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSZ0994NSATMA1
    BSZ0994NSATMA1

    BSZ0994NSATMA1

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSZ0994NSATMA1
    BSZ0994NSATMA1

    BSZ0994NSATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國上海

  • 329242

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • BSZ0994NSATMA1
    BSZ0994NSATMA1

    BSZ0994NSATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 329242

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • BSZ0994NSATMA1
    BSZ0994NSATMA1

    BSZ0994NSATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 329242

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 13A（Ta）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 4.5V，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 7nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 890pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 2.1W（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 7 毫歐 @ 5A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PG-TDSON-8
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 標準包裝
  • 5,000
BSZ0994NSATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSZ097N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 36μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2080pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3） 標準包裝:1 BSZ097N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），40A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），35W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ097N04LS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3） 標準包裝:1 BSZ096N10LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:5,000 BSZ0910NDXTMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:5,000 BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ120P03NS3EGATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ130N03LS G BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03MS G BSZ130N03MSGATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ165N04NS G BSZ165N04NSGATMA1 BSZ16DN25NS3 G
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