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BSC0923NDIATMA1

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  • BSC0923NDIATMA1
    BSC0923NDIATMA1

    BSC0923NDIATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：洪寶宇

    電話：17862669251

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 50

  • INFINEON

  • NA

  • 23+

  • -

  • 功率MOSFET

  • BSC0923NDIATMA1
    BSC0923NDIATMA1

    BSC0923NDIATMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • BSC0923NDIATMA1
    BSC0923NDIATMA1

    BSC0923NDIATMA1

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSC0923NDIATMA1
    BSC0923NDIATMA1

    BSC0923NDIATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 1899

  • INFINEON

  • NA

  • 近兩年

  • -

  • 查價格、訂購可到京北通宇商城www.jb...

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  • 1
BSC0923NDIATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • BSC0923NDIXT
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • LV POWER MOS - Tape and Reel
BSC0923NDIATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSC0921NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A， 31A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1025pF @ 15V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:1 BSC0911NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A，30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 12V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:1 BSC0910NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A， 31A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4500pF @ 12V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:5,000 BSC090N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），48A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 15V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC090N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），48A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC0993NDATMA1 BSC0996NSATMA1 BSC100N03LSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 BSC106N025S G BSC109N10NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1
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