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BSC0923NDIATMA1

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  • BSC0923NDIATMA1
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  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

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  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSC0923NDIATMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國(guó)上海

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  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存,原裝正品

  • BSC0923NDIATMA1
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  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 328770

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • BSC0923NDIATMA1
    BSC0923NDIATMA1

    BSC0923NDIATMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • BSC0923NDIXT
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • LV POWER MOS - Tape and Reel
BSC0923NDIATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSC0921NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對(duì)稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A, 31A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1025pF @ 15V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TISON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC0911NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對(duì)稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A,30A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1600pF @ 12V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TISON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC0910NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對(duì)稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A, 31A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4500pF @ 12V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TISON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC090N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A(Ta),48A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1900pF @ 15V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC090N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13A(Ta),48A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1500pF @ 15V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC0993NDATMA1 BSC0996NSATMA1 BSC100N03LSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 BSC106N025S G BSC109N10NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1
配單專家

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