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BSC13DN30NSFDATMA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BSC13DN30NSFDATMA1
    BSC13DN30NSFDATMA1

    BSC13DN30NSFDATMA1

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSC13DN30NSFDATMA1
    BSC13DN30NSFDATMA1

    BSC13DN30NSFDATMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國(guó)上海

  • 329200

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

  • BSC13DN30NSFDATMA1
    BSC13DN30NSFDATMA1

    BSC13DN30NSFDATMA1

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 329200

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • BSC13DN30NSFDATMA1
    BSC13DN30NSFDATMA1

    BSC13DN30NSFDATMA1

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生

    地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 17813

  • INFINEON

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)代理，公司現(xiàn)貨可開(kāi)票

  • BSC13DN30NSFDATMA1
    BSC13DN30NSFDATMA1

    BSC13DN30NSFDATMA1

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
BSC13DN30NSFDATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 300V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 16A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 90μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 30nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 2450pF @ 150V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 150W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 130 毫歐 @ 16A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PG-TDSON-8
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
BSC13DN30NSFDATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSC130P03LSGAUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta），22.5A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:73.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3670pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），69W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 22.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC130P03LS G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta），22.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:73.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3670pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC12DN20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.3A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:680pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:50W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 5.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC12DN20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 5.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:680pF @ 100V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC123N10LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10.6A（Ta），71A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12.3 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 72μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4900pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1 BSC200P03LSGAUMA1 BSC205N10LS G BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1
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