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BSC098N10NS5ATMA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSC098N10NS5ATMA1
    BSC098N10NS5ATMA1

    BSC098N10NS5ATMA1

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨

  • BSC098N10NS5ATMA1
    BSC098N10NS5ATMA1

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國上海

  • 329048

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • BSC098N10NS5ATMA1
    BSC098N10NS5ATMA1

    BSC098N10NS5ATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 329048

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • BSC098N10NS5ATMA1
    BSC098N10NS5ATMA1

    BSC098N10NS5ATMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 329048

  • INFINEON

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  • 24+

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  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSC098N10NS5ATMA1
    BSC098N10NS5ATMA1

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  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 38600

  • INFINEON

  • TDSON-8

  • 2023+

  • -
  • 原裝正品,公司現(xiàn)貨庫存假一罰十,電話:0...

  • BSC098N10NS5ATMA1
    BSC098N10NS5ATMA1

    BSC098N10NS5ATMA1

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON APAC (CHINA)

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

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BSC098N10NS5ATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 60A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 9.8 毫歐 @ 30A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.8V @ 36μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 28nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 2100pF @ 50V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • *
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PG-TDSON-8
  • 標準包裝
  • 1
BSC098N10NS5ATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSC097N06NSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:5,000 BSC097N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.7 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1075pF @ 30V 功率 - 最大值:36W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC094N06LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):9.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1300pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):36W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.4 毫歐 @ 24A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:5,000 BSC094N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14.6A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.4 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 15V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC093N15NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):87A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.3 毫歐 @ 44A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 107μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3230pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 BSC130P03LS G BSC130P03LSGAUMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 BSC150N03LD G BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFGATMA1 BSC159N10LSF G
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