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配單專家企業(yè)名單

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說明
操作

BSB015N04NX3GXUMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2
INFINEON
con
24+
-
場效應管

BSB015N04NX3GXUMA1
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2
INFINEON
con
24+
-
場效應管

BSB015N04NX3GXUMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
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一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BSB015N04NX3GXUMA1
中山市翔美達電子科技有限公司
中山市翔美達電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
6000
英飛凌
NA
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公司全新原裝正品,QQ153058080...

BSB015N04NX3GXUMA1
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：廖R
電話：13163738578
地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707
10
INFINEON
C08-場效應管
-

BSB015N04NX3GXUMA1
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
5000
INFINEON
主營優(yōu)勢
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BSB015N04NX3GXUMA1 PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON

BSB015N04NX3GXUMA1 技術(shù)參數(shù)

BSB015N04NX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:142nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12000pF @ 20V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSB01503HA3-00CGE 功能描述:15X15X3MM 3V DC FAN, W/SPEED SEN 制造商:delta electronics 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 額定:3VDC 大小/尺寸:方形 - 15mm 長 x 15mm 高寬度:3.50mm 氣流:0.170 CFM（0.005m3/min）靜壓力:0.154 英寸水柱（38.4 Pa）軸承類型:套管風扇類型:鼓風機特性:轉(zhuǎn)子鎖定保護，速度傳感器（轉(zhuǎn)速表）噪聲:30.0 dB（A）功率（W）:150mW RPM:13800 RPM 端接:3 位置矩形連接器侵入防護:- 工作溫度:14 ~ 140°F （-10 ~ 60°C）認可:- 重量:0.003 磅（1.36g）額定電流:0.050A 電壓范圍:2 ~ 3.5VDC 材料 - 框架:塑料材料 - 刀片:塑料不同溫度時的使用壽命:40°C 時為 30000 小時標準包裝:195 BSB014N04LX3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta），180A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:196nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:16900pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），89W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSB014N04LX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:196nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:16900pF @ 20V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSB013NE2LXIXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta），163A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:62nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4400pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），57W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSB053N03LP G BSB056N10NN3GXUMA1 BSB104N08NP3GXUSA1 BSB1270002 BSB1270003 BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 BSC009NE2LS BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI