丝瓜影视APP下载安装,欧美刺激情欲三级文字幕,91亚洲国产

BSB015N04NX3 G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BSB015N04NX3 G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

BSB015N04NX3 G
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
MG-WDSON-2，CanPAK M?
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

BSB015N04NX3 G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
18185
INFINEON
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

BSB015N04NX3 G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3500
Infineon
標(biāo)準(zhǔn)封裝
13+
-
Infineon一級(jí)代理，價(jià)優(yōu)

BSB015N04NX3 G
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3524
INFINEON/英飛凌
MG-WDSON
2236+
-
十年專營(yíng)，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共20條
1

您是不是要找： BSB015N04NX3GXUMA1 BSB01703HA3-00CAJ BSB017N03LX3 G BSB019N03LX G BSB0203HA3-00CER BSB024N03LX G BSB028N06NN3 G BSB028N06NN3GXUMA1 BSB044N08NN3 G

BSB015N04NX3 G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BSB015N04NX3 G PDF下載

功能描述
MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSB015N04NX3 G 技術(shù)參數(shù)

BSB01503HA3-00CGE 功能描述:15X15X3MM 3V DC FAN, W/SPEED SEN 制造商:delta electronics 系列:- 零件狀態(tài):在售電壓 - 額定:3VDC 大小/尺寸:方形 - 15mm 長(zhǎng) x 15mm 高寬度:3.50mm 氣流:0.170 CFM（0.005m3/min）靜壓力:0.154 英寸水柱（38.4 Pa）軸承類型:套管風(fēng)扇類型:鼓風(fēng)機(jī) 特性:轉(zhuǎn)子鎖定保護(hù)，速度傳感器（轉(zhuǎn)速表）噪聲:30.0 dB（A）功率（W）:150mW RPM:13800 RPM 端接:3 位置矩形連接器侵入防護(hù):- 工作溫度:14 ~ 140°F （-10 ~ 60°C）認(rèn)可:- 重量:0.003 磅（1.36g）額定電流:0.050A 電壓范圍:2 ~ 3.5VDC 材料 - 框架:塑料材料 - 刀片:塑料不同溫度時(shí)的使用壽命:40°C 時(shí)為 30000 小時(shí) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:195 BSB014N04LX3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta），180A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:196nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:16900pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），89W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB014N04LX3 G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:196nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:16900pF @ 20V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB013NE2LXIXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta），163A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:62nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4400pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），57W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB013NE2LXI 功能描述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Ta），163A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 12V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB044N08NN3GXUMA1 BSB053N03LP G BSB056N10NN3GXUMA1 BSB104N08NP3GXUSA1 BSB1270002 BSB1270003 BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 BSC009NE2LS BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1