BSB1270002

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSB1270002
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
TXC CORPORATION
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，原裝正品

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1

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功能描述
212.5MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V Enable/Disable
制造商
txc corporation
系列
BS
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
類型
XO（標(biāo)準(zhǔn)）
頻率
212.5MHz
功能
啟用/禁用
輸出
LVPECL
電壓 - 電源
3.3V
頻率穩(wěn)定度
±100ppm
工作溫度
0°C ~ 70°C
電流 - 電源（最大值）
-
等級
-
安裝類型
表面貼裝
大小/尺寸
0.276" 長 x 0.197" 寬（7.00mm x 5.00mm）
高度
0.071"（1.80mm）
封裝/外殼
6-SMD，無引線（DFN，LCC）
電流 - 電源（禁用）（最大值）
*
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000

BSB1270002 技術(shù)參數(shù)

BSB104N08NP3GXUSA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.4 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 40V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSB056N10NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta），83A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB053N03LP G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），71A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSB044N08NN3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），90A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 97μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:73nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5700pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），78W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSB044N08NN3 G 功能描述:MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），90A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 97μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:73nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5700pF @ 40V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1 BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1 BSC011N03LS BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSI BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC014N03LS G BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03MS G BSC014N03MSGATMA1 BSC014N04LS BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1