參數(shù)資料
型號: AS29LV800T-80TC
廠商: ANADIGICS, Inc.
英文描述: 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
中文描述: 3V的100萬】8/512K】16個CMOS閃存EEPROM
文件頁數(shù): 21/24頁
文件大?。?/td> 416K
代理商: AS29LV800T-80TC
AS29LV800
October 2000
DID 11-40002-A. 10/19/00
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
21
Word/byte configuration
BYTE read waveform
BYTE write waveform
Sector protect/unprotect
JEDEC
Symbol Std Symbol Parameter
-80
-90
-120
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
-
t
ELFL
/t
ELFH
CE
to BYTE switching Low or High
BYTE
switching Low to output High-Z
-
10
-
10
-
10
ns
-
t
FLQZ
-
30
-
35
-
40
ns
-
t
FHQZ
BYTE
switching High to output Active
80
-
90
-
120
-
ns
CE
OE
BYTE
DQ0-DQ14
DQ15/A-1
BYTE
DQ0-DQ14
DQ15/A-1
Word
to
Byte
Byte
to
Word
Data output
Data output
Address input
DQ15 output
t
FLQZ
Data output
DQ0-DQ7
DQ0-DQ14
DQ0-DQ7
Data output
DQ0-DQ14
Address input
t
FHQV
DQ15 output
t
ELFL
t
ELFH
CE
WE
BYTE
falling edge of last WE signal
t
SET
(t
AS
)
t
HOLD
(t
AH
)
See Erase/Program operations table for t
AS
and t
AH
specifications.
RESET#
CE#
OE#
* For sector protect, A6=0, A1=1, A0=0. For sector unprotect, A6=1, A1=1, A0=0.
V
ID
V
IH
Valid*
Valid*
Valid*
SA, A6,
A1, A0
60h
40h
Status
60h
DATA
Sector protect/unprotect
1 μs
Sector protect: 100 μs
Sector unprotect: 10 ms
WE#
Verify
Don’t care
Don’t care
Don’t care
Don’t care
Don’t care
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PDF描述
AS29LV800T-80TI 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM
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