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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS29LV800T-80TC |
| 廠商： | ANADIGICS, Inc. |
| 英文描述： | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
| 中文描述： | 3V的100萬(wàn)】8/512K】16個(gè)CMOS閃存EEPROM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 416K |
| 代理商： | AS29LV800T-80TC |
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AS29LV800
October 2000
DID 11-40002-A. 10/19/00
ALLIANCE SEMICONDUCTOR
15
DC electrical characteristics
V
CC
= 2.7–3.6V
Parameter
Symbol Test conditions
Min
Max
Unit
Input load current
I
LI
V
IN
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC MAX
-
±1
μ
A
A9 Input load current
I
LIT
V
CC
= V
CC MAX
, A9 = 10V
35
μA
Output leakage current
I
LO
V
OUT
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC MAX
-
±1
μ
A
Active current, read @ 5MHz
I
CC1
CE = V
IL
, OE = V
IH
-
20
mA
Active current, program/erase
I
CC2
CE = V
IL
, OE = V
IH
-
100
mA
Automatic sleep mode
*
* Automatic sleep mode enables the deep power down mode when addresses are stable for 150 ns. Typical sleep mode current is 200 nA.
I
CC3
CE = V
IL
, OE = V
IH
;
V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
CE = V
CC
- 0.3V, RESET = V
CC
- .3V
-
5
μA
Standby current
I
SB
-
5
μA
Deep power down current
3
I
PD
RESET = 0.3V
-
5
μA
Input low voltage
V
IL
-0.5
0.8
V
Input high voltage
V
IH
0.7×V
CC
V
CC
+ 0.3
V
Output low voltage
V
OL
I
OL
= 4.0mA, V
CC
= V
CC MIN
-
0.45
V
Output high voltage
V
OH
I
OH
= -2.0 mA, V
CC
= V
CC MIN
0.85×V
CC
-
V
Low V
CC
lock out voltage
V
LKO
1.5
-
V
Input HV select voltage
V
ID
9
11
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS29LV800T-80TI | 3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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