參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT30H170T3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 45 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-25
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 290K
代理商： APTGT30H170T3
APTGT30H170T3
A
P
T
G
T
30
H
170T
3–
R
ev
0
S
ept
em
be
r,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 1.5mA
1700
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1700V
3
mA
Tj = 25°C
2.0
2.4
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE = 15V
IC = 30A
Tj = 125°C
2.4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1.5mA
5.2
5.8
6.4
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
600
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
2500
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V, VCE = 25V
f = 1MHz
90
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
100
Tr
Rise Time
70
Td(off)
Turn-off Delay Time
650
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 30A
RG = 18
80
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
100
Tr
Rise Time
70
Td(off)
Turn-off Delay Time
750
Tf
Fall Time
100
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
18
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 900V
IC = 30A
RG = 18
19
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1700
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1700V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.8
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 50A
VGE = 0V
Tj = 125°C
1.9
V
Tj = 25°C
8
Er
Reverse Recovery Energy
IF = 50A
VR = 900V
di/dt =990A/s
Tj = 125°C
15
mJ
Tj = 25°C
18
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 50A
VR = 900V
di/dt =990A/s
Tj = 125°C
29
C
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
68
k
B 25/85
T25 = 298.16 K
4080
K
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT30TL601G 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35A120T1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT30H170T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT30H60T1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT30H60T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT30H60T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT30SK170D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper Trench IGBT Power Module
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