參數(shù)資料
型號(hào)： APTGT30TL601G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 225K
代理商： APTGT30TL601G
APTGT30TL601G
APT
G
T
30T
L
601G
–
Rev0
M
ar
ch,
2009
www.microsemi.com
1- 7
Q1 to Q4 Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
50
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
30
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
60
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
90
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 150°C
60A @ 550V
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
See application note APT0502 on www.microsemi.com
All multiple inputs and outputs must be shorted together
5/6 ; 9/10
VCES = 600V
IC = 30A @ Tc = 80°C
Application
Solar converter
Uninterruptible Power Supplies
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Very low stray inductance
High level of integration
Benefits
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
RoHS Compliant
Three level inverter
Trench + Field Stop IGBT
Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGT35A120T1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T1G 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT35H120T3 55 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT400A60D3G IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGT30TL60T3G 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT30X60T3G 功能描述:IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT35A120D1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT35A120D1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGT35A120T1G 功能描述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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