參數(shù)資料
型號： APTGT150SK170
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-5
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 268K
代理商： APTGT150SK170
APTGT150SK170
A
P
T
G
T
150
S
K
170
–
R
ev
0
M
ay,
2005
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 5
Forward Characteristic of diode
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
0.511.5
22.5
3
V
F (V)
I C
(A
)
hard
switching
ZCS
ZVS
0
5
10
15
20
25
0
40
80
120
160
200
240
I
C (A)
F
m
ax,
O
p
er
at
in
g
F
req
ue
n
cy
(
kH
z)
VCE=900V
D=50%
RG=4.7
TJ=125°C
TC=75°C
Operating Frequency vs Collector Current
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
pe
da
nc
e(°C
/W
)
Diode
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
APTGT150SK170 250 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150SK60T1G 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150TA60P 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150TA60P 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT150TL60G 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGT150SK170G 功能描述:IGBT 1700V 250A 890W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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