參數(shù)資料
型號： APTGF50H120TG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP4, MODULE-14
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 288K
代理商： APTGF50H120TG
APTGF50H120TG
A
P
T
G
F
50
H
120T
G
–
R
ev
3
J
ul
y,
2006
www.microsemi.com
2 - 6
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
3.2
3.7
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
4.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1 mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20 V, VCE = 0V
100
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
3450
Coes
Output Capacitance
330
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
220
pF
Qg
Total gate Charge
330
Qge
Gate – Emitter Charge
35
Qgc
Gate – Collector Charge
VGS = 15V
VBus = 600V
IC = 50A
200
nC
Td(on)
Turn-on Delay Time
35
Tr
Rise Time
65
Td(off)
Turn-off Delay Time
320
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 5
30
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
35
Tr
Rise Time
65
Td(off)
Turn-off Delay Time
360
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 5
40
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
6.9
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 5
Tj = 125°C
3.05
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
1200
V
Tj = 25°C
250
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=1200V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 70°C
60
A
IF = 60A
2.0
2.5
IF = 120A
2.3
VF
Diode Forward Voltage
IF = 60A
Tj = 125°C
1.8
V
Tj = 25°C
370
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
500
ns
Tj = 25°C
1320
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 60A
VR = 800V
di/dt =400A/s
Tj = 125°C
6900
nC
相關PDF資料
PDF描述
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APTGT150DA120D1G 220 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT200DA60T 290 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGT300DA120D3G 440 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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