型號(hào): | APT80GP60JDQ3 |
廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | ISOTOP-4 PIN |
文件頁數(shù): | 4/9頁 |
文件大小: | 230K |
代理商: | APT80GP60JDQ3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APTC60AM35SCT | 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APTC60AM35SCT | 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APTC60DAM35T1G | 72 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APTC60DHM45T1G | 49 A, 600 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APTC60DSKM35T3 | 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT80M60J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
APT80M60J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
APT80SM120B | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
APT80SM120J | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):51A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
APT80SM120S | 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):235nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |