參數(shù)資料
型號： APT80GP60JDQ3
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 230K
代理商： APT80GP60JDQ3
050-7442
Rev
A
6-2005
APT80GP60JDQ3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
BV
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
120
100
80
60
40
20
0
500
400
300
200
100
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
0
50
100
150
200
250
300
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(TJ = 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
V
CE = 480V
IC = 80A
TJ = 25°C
V
CE = 120V
V
CE = 300V
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 160A
I
C = 80A
I
C = 40A
I
C = 160A
I
C = 80A
I
C = 40A
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PDF描述
APTC60AM35SCT 72 A, 600 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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APT80M60J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
APT80SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1
APT80SM120J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1
APT80SM120S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 40A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:235nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1
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